Informação e Comunicações

A nanotecnologia permitiu muitos avanços na memória do computador, aumentando o tamanho do armazenamento, reduzindo o consumo de energia e aumentando a velocidade. Esses três fatores permitirão dispositivos sofisticados controlados por computador no futuro.

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Computadores e processadores usam memória para armazenar informações e executar operações para executar as funções desejadas. Cada bit de memória contém um valor binário e conjuntos de bits se combinam para serem interpretados como uma instrução ou informação específica. Os dispositivos digitais estão se tornando cada vez mais sofisticados e menores, exigindo componentes mais compactos. Diferentes tipos de dispositivos de memória introduzidos pela nanotecnologia estão permitindo o desenvolvimento de dispositivos complexos e de tamanho extremamente pequeno.

A engenharia em nanoescala permitiu muitos avanços nos computadores, aumentando a quantidade de armazenamento, reduzindo o consumo de energia e aumentando a velocidade. Estes três factores permitiram o desenvolvimento de dispositivos sofisticados controlados por computador que estão a ajudar a moldar o nosso mundo.

Nano-RAM (ou NRAM) é uma memória de acesso aleatório que usa nanotubos de carbono para codificar o estado dos bits. Esse tipo de memória é nvolátil o que significa que ele retém informações independentemente de a energia ser ou não fornecida ativamente ao sistema (os nanotubos de carbono mantêm sua posição mecânica, independentemente de a energia ser fornecida ou não). A NRAM (que é uma tecnologia proprietária de memória de computador) foi projetada para ter densidade muito alta e baixo custo.

Ferroelétrico-RAM ou FRAM é outro tipo de memória não volátil que aproveita o comportamento de estruturas em nanoescala. FRAM é semelhante à memória de circuito integrado tradicional, exceto que é fabricada usando um polímero ferroelétrico em vez de um substrato dielétrico. Um material que apresenta ferroeletricidade possui uma polarização elétrica inata em sua estrutura. Devido à polarização natural do material ferroelétrico, a substituição de um dielétrico tradicional por material ferroelétrico permite que a memória FRAM consuma menos energia e ocupe menos espaço.

Um terceiro tipo de memória que foi aprimorado usando nanotecnologia é conhecido como Milípede memória. Ele foi projetado para substituir memórias magnéticas, como as comumente usadas em unidades de disco rígido. A memória Millipede usa muitas impressões minúsculas em nanoescala em uma tira de polímero para registrar as informações armazenadas. Para recuperar as informações, a memória Millipede utiliza sensores de força atômica que detectam os nano-recortes registrados no filme. As capacidades de armazenamento resultantes são normalmente até quatro vezes maiores do que aquelas disponíveis com memórias magnéticas tradicionais. A memória Millipede também não é volátil e pode ser regravada. Além de sua altíssima capacidade de armazenamento, foi projetado para ler e escrever em um processo paralelo, tornando a recuperação de informações muito rápida.

Crédito da imagem: World Image/bigstock.com

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