Información y Comunicaciones

La nanotecnología ha permitido muchos avances en la memoria de las computadoras, aumentando el tamaño del almacenamiento, reduciendo el consumo de energía y aumentando la velocidad. Estos tres factores permitirán que en el futuro existan dispositivos sofisticados controlados por computadora.

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Las computadoras y los procesadores usan la memoria para almacenar información y ejecutar operaciones para realizar las funciones deseadas. Cada bit de memoria contiene un valor binario y conjuntos de bits se combinan para interpretarse como una instrucción o información particular. Los dispositivos digitales son cada vez más sofisticados y pequeños, y requieren componentes más compactos. Los diferentes tipos de dispositivos de memoria introducidos por la nanotecnología están permitiendo el desarrollo de dispositivos complejos y de tamaño extremadamente pequeño.

La ingeniería a nanoescala ha permitido muchos avances en las computadoras al aumentar la cantidad de almacenamiento, reducir el consumo de energía y aumentar la velocidad. Estos tres factores han permitido el desarrollo de sofisticados dispositivos controlados por computadora que están ayudando a dar forma a nuestro mundo.

Nano-RAM (o NRAM) es una memoria de acceso aleatorio que utiliza nanotubos de carbono para codificar el estado de los bits. Este tipo de memoria es nortevolátil lo que significa que retiene información independientemente de si se suministra o no energía activamente al sistema (los nanotubos de carbono mantienen su posición mecánica independientemente de si se suministra energía o no). Se ha proyectado que la NRAM (que es una tecnología patentada de memoria de computadora) será de muy alta densidad y de bajo costo.

RAM ferroeléctrica o FRAM es otro tipo de memoria no volátil que aprovecha los comportamientos de las estructuras a nanoescala. FRAM es similar a la memoria de circuito integrado tradicional excepto que está fabricada con un polímero ferroeléctrico en lugar de un sustrato dieléctrico. Un material que exhibe ferroelectricidad tiene una polarización eléctrica innata en su estructura. Debido a la polarización natural del material ferroeléctrico, reemplazar un dieléctrico tradicional con material ferroeléctrico permite que la memoria FRAM consuma menos energía y ocupe menos espacio.

Un tercer tipo de memoria que se ha mejorado mediante nanotecnología se conoce como milipela memoria. Fue diseñado para reemplazar las memorias magnéticas como las que se usan comúnmente en los discos duros. La memoria Millipede utiliza muchas pequeñas huellas a nanoescala en una tira de polímero para registrar la información almacenada. Para recuperar la información, la memoria Millipede utiliza sensores de fuerza atómica que detectan las nanoindentaciones grabadas en la película. Las capacidades de almacenamiento resultantes suelen ser hasta cuatro veces mayores que las disponibles con las memorias magnéticas tradicionales. La memoria Millipede tampoco es volátil y se puede reescribir. Además de su altísima capacidad de almacenamiento, ha sido diseñado para leer y escribir en un proceso paralelo haciendo que la recuperación de información sea muy rápida.

Crédito de la imagen: Imagen mundial/bigstock.com

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