教授 乔瓦尼·菲诺基奥, 梅西纳大学, 墨西拿，意大利
射频技术和计算领域的高性能自旋电子器件
在杰出讲师报告中，Finnocchio教授介绍了基于磁隧道结（MTJ）的自旋电子学微波探测器、振荡器和放大器的最新进展。他回顾了这些设备在计算方面的应用，包括实现伊辛机。自旋电子学技术利用电子自旋与其电荷的操纵。该技术有潜力结合超低功耗、小型化（纳米尺寸）和CMOS兼容等重要特性。自旋电子学已经取得了不同的成功，例如硬盘的读写头以及最近的自旋转移矩磁随机存取存储器。后者是以MTJ实现的，MTJ是由两个由超薄绝缘材料隔开的铁磁体组成的器件。该器件的电阻取决于两个铁磁体磁化方向的相对取向，特别是平行或反平行的配置可以编码二进制信息。除了已经在市场上并被主要代工厂（英特尔、三星、格罗方德）集成到CMOS工艺中的内存开发之外，MTJ还可以用于开发自激振荡器和非常高效的探测器。他展示了基于MTJ的自旋电子二极管在能量收集、传感器和射频探测器方面的应用，以及未来三年对与CMOS技术集成所期望取得的成果。报告的最后部分将重点介绍概率计算，这是实现伊辛机的一个方向。概率计算是一种使用概率比特（p-bits）的计算范式，p-bits是介于标准比特和量子比特之间的单位。我将展示如何将组合优化难题（Max-Sat、Max-Cut等）映射到伊辛机，以及如何在自旋电子学技术中实现它们。.
